小型烘箱在光刻過(guò)程中的應用

小型烘箱的用途很廣，在很多的實(shí)驗中也都有用到，現在就講一講小型烘箱在光刻過(guò)程中的應用！以下是光刻工序的流程圖！

光刻工序需要多步流程，如下圖所示：

1.涂光刻膠

在涂光刻膠之前，將清洗干凈的硅片表面涂上附著(zhù)性增強劑或將硅片放在惰性氣體中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與硅片之間的粘附性，防止顯影時(shí)光刻膠的脫落以及防止濕法腐蝕時(shí)產(chǎn)生側向腐蝕。

光刻膠的涂覆使用甩膠機來(lái)進(jìn)行的。首先，用真空吸法將硅片吸在甩膠機的吸盤(pán)上，將有一定粘度的光刻膠滴在鬼片的表面上，然后以設定的轉速和時(shí)間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在硅片表面被均勻的展開(kāi)，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜。光刻膠的厚度是由光刻膠的粘度和甩膠機的轉速來(lái)控制的！

2.預烘干

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80攝氏度左右的小型烘箱中進(jìn)行烘干，小型烘箱是惰性氣體的環(huán)境，烘干時(shí)間一般是15-30分鐘，以便除去光刻膠中的溶劑。

3.掩模對準

由于集成電路制作過(guò)程是逐層加工的，各層之間圖形的位置不能錯位，所以每次光刻時(shí)都要講掩膜板與硅片上的對中記號對準，以確保掩膜板上的圖形與硅片上已加工的各層圖形套準

4.曝光

將高壓水銀燈G線(xiàn)（波長(cháng)為436nm）或I線(xiàn)（波長(cháng)為365nm）通過(guò)掩膜照射在硅片上的感光膠上，使光刻膠獲得與掩膜圖形相同的感光圖形！

5.顯影

將曝光后的硅片浸泡到特定的顯影液中，并控制時(shí)間使得未曝光的部分被溶解掉，從而將圖形復制到光刻膠上，顯影后的圖像受到顯影液的影響，顯影后的硅片需要用純凈水進(jìn)行清洗！

6.后烘干
為了使殘留在光刻膠中的有機溶液揮發(fā)掉，提高光刻膠的粘結性及光刻膠的耐腐蝕性，通常將硅片放在120-200攝氏度的小型烘箱，而將硅片放在120度到200度的溫度下烘干20-30分鐘

以上就是小型烘箱在光刻過(guò)程中的作用了！